扫一扫，手机浏览-
详细信息
IGBT-IGBT主要参数-IGBT的测试方法及与mosfet的对比分析
IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）相结合的产物。它具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。它比GTR（或BJT）更为新颖。IGBT模块的击穿电压已达到1200V，集电极饱和电流已超过1500A，工作频率可达30～40kHz，以IGBT为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上，故电动机的电流波形比较平滑，电磁噪声很小。缺点是断态时的击穿电压较低（约3.3kV），功耗较大，电路较复杂。
-
您可能感兴趣
-
深圳市华科智源科技有限公司
ITC57300，半导体动态参数测试仪 ；首件测试仪，IGBT测试仪，IGBT动态参数测试仪，IGBT静态参数测试仪，SMT首件检测仪，SMT首件测试仪，雪崩测试仪
华科智源大功率分立器件测试设备hustec-1600A
页面价格仅供参考，具体请联系报价起批量 价格 - ≧1 台
￥2.00
- 产品型号：hustec-1600A
- 品 牌：华科智源
- 所 在 地：广东深圳宝安区
- 更新日期：2024-05-08
选择 1台起售 ￥2.00 库存充足 -+合计：1台总价：2.00元深圳市华科智源科技有限公司 地址： 深圳市宝安区航城鹤洲洲石路739号恒丰工业城C栋816内容声明：谷瀑为第三方平台及互联网信息服务提供者，谷瀑（含网站、客户端等）所展示的商品/服务的标题、价格、详情等信息内容系由店铺经营者发布，其真实性、准确性和合法性均由店铺经营者负责。谷瀑提醒您购买商品/服务前注意谨慎核实，如您对商品/服务的标题、价格、详情等任何信息有任何疑问的，请在购买前通过谷瀑与店铺经营者沟通确认；谷瀑上存在海量店铺，如您发现店铺内有任何违法/侵权信息，请在谷瀑首页底栏投诉通道进行投诉。
